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इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग यूनिट 1: डायोड्स का कम्प्लीट वन शॉट

इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग - यूनिट 1 वन शॉट रिवीज़न

यह लेक्चर FEEE (Fundamentals of Electronics Engineering) की यूनिट नंबर 1 का संपूर्ण सिलेबस कवर करता है। इसमें तीन मुख्य टॉपिक शामिल हैं:

  1. सेमीकंडक्टर डायोड: बेसिक्स, डिप्लीशन लेयर, VI करैक्टरिस्टिक्स
  2. डायोड एप्लीकेशन: रेक्टिफायर, क्लिपर, क्लैंपर, वोल्टेज मल्टीप्लायर
  3. स्पेशल पर्पस टू टर्मिनल डिवाइसेस: LED, फोटो डायोड, वेरेक्टर डायोड, टनल डायोड

मटेरियल का वर्गीकरण

इलेक्ट्रिकल प्रॉपर्टीज के आधार पर

  • कंडक्टर: बहुत सारे फ्री इलेक्ट्रॉन, हाई कंडक्टिविटी, लो रेजिस्टिविटी (जैसे: सिल्वर, कॉपर)
  • इंसुलेटर: कोई फ्री इलेक्ट्रॉन नहीं, लो कंडक्टिविटी, हाई रेजिस्टिविटी
  • सेमीकंडक्टर: कंडक्टर और इंसुलेटर के बीच की कंडक्टिविटी (जैसे: सिलिकॉन, जर्मेनियम, वैलेंस इलेक्ट्रॉन = 4)

एनर्जी बैंड थ्योरी के आधार पर

  • वैलेंस बैंड: कम एनर्जी वाला बैंड, जहां बॉन्ड बनाने वाले इलेक्ट्रॉन होते हैं।
  • कंडक्शन बैंड: हाई एनर्जी वाला बैंड, जहां फ्री इलेक्ट्रॉन होते हैं जो करंट फ्लो के लिए जिम्मेदार होते हैं।
  • फॉरबिडन एनर्जी गैप (बैंड गैप): वैलेंस बैंड से कंडक्शन बैंड में जाने के लिए आवश्यक न्यूनतम एनर्जी।
    • कंडक्टर: गैप = 0 (बैंड ओवरलैप करते हैं)
    • इंसुलेटर: गैप बहुत बड़ा
    • सेमीकंडक्टर: गैप कंडक्टर से ज्यादा, इंसुलेटर से कम

सेमीकंडक्टर का वर्गीकरण

1. इंट्रिंसिक सेमीकंडक्टर

  • बिल्कुल शुद्ध (Pure) सेमीकंडक्टर (जैसे: Pure Silicon, Pure Germanium)
  • 0 केल्विन पर इंसुलेटर की तरह काम करता है।
  • रूम टेंपरेचर पर, थर्मल एनर्जी से कुछ कोवेलेंट बॉन्ड टूटते हैं, जिससे इलेक्ट्रॉन-होल पेयर बनते हैं और थोड़ी कंडक्टिविटी आती है।

2. एक्सट्रिंसिक सेमीकंडक्टर

  • इंट्रिंसिक सेमीकंडक्टर में इंप्योरिटी मिलाकर (डोपिंग प्रक्रिया) बनाया जाता है।
  • डोपिंग की आवश्यकता: कंडक्टिविटी बढ़ाने के लिए।

P-टाइप सेमीकंडक्टर

  • डोपेंट: ट्राईवेलेंट इंप्योरिटी (जैसे: बोरॉन, एलुमिनियम), परमाणु में 3 वैलेंस इलेक्ट्रॉन।
  • कार्य: यह एक होल (वेकेंसी) क्रिएट करता है, इसलिए इसे एक्सेप्टर इंप्योरिटी कहते हैं।
  • मेजॉरिटी चार्ज कैरियर: होल्स
  • माइनॉरिटी चार्ज कैरियर: इलेक्ट्रॉन्स
  • इसमें इमोबाइल नेगेटिव आयन होते हैं।

N-टाइप सेमीकंडक्टर

  • डोपेंट: पेंटावेलेंट इंप्योरिटी (जैसे: फॉस्फोरस, आर्सेनिक), परमाणु में 5 वैलेंस इलेक्ट्रॉन।
  • कार्य: यह एक एक्स्ट्रा इलेक्ट्रॉन डोनेट करता है, इसलिए इसे डोनर इंप्योरिटी कहते हैं।
  • मेजॉरिटी चार्ज कैरियर: इलेक्ट्रॉन्स
  • माइनॉरिटी चार्ज कैरियर: होल्स
  • इसमें इमोबाइल पॉजिटिव आयन होते हैं।

पीएन जंक्शन डायोड

यह एक सिंगल सेमीकंडक्टर क्रिस्टल (Si/Ge) है जिसका आधा भाग P-टाइप और आधा N-टाइप डोप किया जाता है। P और N टाइप के बीच की बाउंड्री को PN जंक्शन कहते हैं।

फॉर्मेशन ऑफ डिप्लीशन लेयर

  1. जब P और N टाइप को जोड़ा जाता है, तो जंक्शन के पास के होल्स (P-साइड) और इलेक्ट्रॉन्स (N-साइड) एक-दूसरे को अट्रैक्ट करते हैं और रीकम्बाइन हो जाते हैं।
  2. इस रीकॉम्बिनेशन के कारण जंक्शन के पास N-साइड पर पॉजिटिव आयन और P-साइड पर नेगेटिव आयन बन जाते हैं।
  3. यह आयनों का वह क्षेत्र जहां कोई फ्री मोबाइल चार्ज कैरियर (इलेक्ट्रॉन या होल) नहीं बचा, डिप्लीशन रीजन कहलाता है।
  4. इन आयनों के बीच एक इलेक्ट्रिक फील्ड और एक पोटेंशियल बैरियर (लगभग 0.7V for Si, 0.3V for Ge) बन जाता है, जो आगे और अधिक डिफ्यूजन को रोकता है।

यदि आप इसी प्रकार के सिस्टमैटिक रिवीज़न के लिए अन्य विषयों की तलाश कर रहे हैं, तो ईएमआई यूनिट 4: करंट और पोटेंशियल ट्रांसफॉर्मर का संपूर्ण परिचय और CS One ऑपरेटिंग सिस्टम: सम्पूर्ण परिचय और मुख्य अवधारणाएँ को देख सकते हैं।

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